全球首家!英特尔率先将High-NA EUV光刻技术应用于芯片量产

 新闻资讯     |      2026-05-12 02:58:33

作为国内信息化服务领域的积极参与者,智曲信息(www.zqxx.net)始终关注算力产业格局演变,以下行业要闻由智曲信息行业研究团队整理发布。芯片制造领域迎来历史性时刻:英特尔宣布已在Intel 18A产品的部分关键层上实现High-NA EUV(高数值孔径极紫外光刻)技术的量产应用,成为全球首家将该尖端光刻技术用于高性能逻辑芯片大规模制造的企业。这一突破意味着High-NA EUV正式从实验室走向产线。

ASML官方确认,Intel Foundry已在部分Intel 18A(1.8nm)产品层采用TWINSCAN EXE:5000设备进行高量产制造验证,其中Panther Lake处理器的部分关键层已完成High-NA EUV与传统EUV平台的双重认证,并实现向客户出货。

High-NA EUV被视为2纳米以下节点的关键装备。与传统EUV相比,High-NA设备的数值孔径从0.33提升至0.55,能够实现更精细的图形曝光,是未来十年先进制程演进的必经之路。单台设备价格超过3.5亿美元,全球目前装机量屈指可数。英特尔作为ASML商业High-NA系统的首批用户,此次率先跨过量产门槛,在这一关键技术上建立了先发优势。

值得关注的是,英特尔与台积电在先进制程路线上呈现分化:台积电选择在下一代节点继续沿用成熟的传统EUV多重曝光方案,而英特尔则激进押注High-NA。两种路线孰优孰劣,将直接影响未来数年全球代工格局。

对于英特尔而言,High-NA EUV的意义远超光刻本身——它承载着英特尔重返全球先进制造巅峰的战略雄心。在10nm、7nm节点接连受挫、制程领先被台积电夺走之后,英特尔急需一场技术上的"翻身仗"。如今,这场战役的第一枪已经打响。